天津工业大学张德林获国家专利权
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龙图腾网获悉天津工业大学申请的专利一种轨道矩磁性存储器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121358167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511893337.4，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权一种轨道矩磁性存储器及其制备方法是由张德林;苟金龙;马雯雯;王平;姜勇设计研发完成，并于2025-12-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种轨道矩磁性存储器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种轨道矩磁性存储器及其制备方法，所述轨道矩磁性存储器包括从下至上依次设置的衬底、轨道霍尔层、自由层、势垒层、定扎层，轨道霍尔层包括上下设置的金属层和FeMn层，自由层包括上下设置的第一Co2Fe6B2层和Fe3GaTe2层，定扎层包括上下设置的[CoPt]n层、Ta层和第二Co2Fe6B2层。该结构利用轨道霍尔层高效产生轨道流、交换偏置场及杂散场，并通过Fe3GaTe2层的强自旋轨道耦合特性，同时在低电流下实现自旋极化与磁化翻转。该轨道矩磁性存储器不仅在保持较快的写入速度的同时降低了功耗，并且在高速数据存取中展现出优越的性能，并为未来轨道电子学、磁存储等领域的应用提供基础支持。
本发明授权一种轨道矩磁性存储器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种轨道矩磁性存储器，其特征在于：所述轨道矩磁性存储器包括从下至上依次设置的衬底、轨道霍尔层、自由层、势垒层、定扎层，轨道霍尔层包括上下设置的金属层和FeMn层，自由层包括上下设置的第一Co2Fe6B2层和Fe3GaTe2层，定扎层包括从上至下依次设置的[CoPt]n层、Ta层和第二Co2Fe6B2层；其中，[CoPt]n层的下层是Co层，上层是Pt层，n≥4。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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