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龙图腾网获悉苏州欣威晟电子科技有限公司申请的专利用于半导体加热装置的防护涂层及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121380895B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511962105.X，技术领域涉及：C23C16/30；该发明授权用于半导体加热装置的防护涂层及其制备方法是由何威威;何霁设计研发完成，并于2025-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于半导体加热装置的防护涂层及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种用于半导体加热装置的防护涂层及其制备方法。所述防护涂层的制备方法包括以下步骤：将有机溶剂、氧化钇、二氧化硅、氮化硼混匀球磨，加入改性剂反应，得到混合浆料；将混合浆料喷涂在基体上，干燥得到前驱体；将前驱体放入沉积炉中，通入三甲基硅烷、氢气和氩气，沉积，得到沉积于基体上的所述防护涂层。本申请的所述防护涂层具有良好的附着力、硬度和防护性能，可以有效提升半导体加热装置在极端条件下的稳定性。

本发明授权用于半导体加热装置的防护涂层及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体加热装置的防护涂层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 1将有机溶剂、氧化钇、二氧化硅、氮化硼混匀球磨，加入改性剂反应，得到混合浆料； 2将混合浆料喷涂在基体上，干燥得到前驱体； 3将前驱体放入沉积炉中，通入三甲基硅烷、氢气和氩气，沉积，得到沉积于基体上的防护涂层； 所述改性剂通过以下方法制备： S1：3-氨基-1,2-丙二醇与4-甲酰基苯硼酸反应生成中间体1， S2：中间体1与三2-丙烯酰氧乙基异氰尿酸酯反应生成中间体2， S3：中间体2与氯磷酸二甲酯反应生成中间体3， S4：中间体3与γ-氨丙基三乙氧基硅烷反应生成改性剂； 步骤S1中，所述3-氨基-1,2-丙二醇与4-甲酰基苯硼酸的投料摩尔比为1.05-1.1:1；步骤S2中，所述中间体1与三2-丙烯酰氧乙基异氰尿酸酯的投料摩尔比为3.1-3.2:1；步骤S3中，所述中间体2与氯磷酸二甲酯的投料摩尔比为1:3.05-3.15；步骤S4中，所述中间体3与γ-氨丙基三乙氧基硅烷的投料摩尔比为1:3.1-3.2； 步骤1中，所述氧化钇、二氧化硅、氮化硼、改性剂的投料质量比为1:2-2.5:0.1-0.5:0.5-0.8。

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