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龙图腾网获悉深圳市星汉激光科技股份有限公司申请的专利一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121395052B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511972762.2，技术领域涉及：H01S5/183；该发明授权一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法是由周少丰;丁亮;罗军波;吕天健;方子勋设计研发完成，并于2025-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法，涉及激光芯片技术领域，包括衬底、低温成核层、高温恢复层、应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层、n型氮化物DBR反射镜、有源区及极化增强型隧穿结等，其中，缺陷阻断层采用原位氮化硅纳米多孔掩膜层配合氮化铝镓氮化镓应力补偿超晶格层，通过脉冲式侧向外延过生长湮灭穿透性位错，n型氮化物DBR反射镜采用AlInNGaN晶格匹配材料体系结合氢气刻蚀中断修饰技术，实现了零裂纹、高反射率的厚膜生长，顶部使用极化增强型隧穿结取代ITO，利用InGaN中的压电极化增强空穴隧穿几率，实现了低工作电压、无吸收损耗的高效电流注入，显著降低了位错密度和器件电压，提升了外延片良率和光电转换效率。

本发明授权一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片及其外延缺陷抑制制备方法在权利要求书中公布了：1.一种面发射氮化镓VCSEL激光芯片，其特征在于：所述激光芯片包括衬底1、依次层叠生长在所述衬底1表面的低温成核层2、高温恢复层3、应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层4、n型氮化物DBR反射镜5、n型腔长调节层6、氮化铟镓氮化镓多量子阱有源区7、p型电子阻挡层8、p型波导层9及极化增强型隧穿结10，所述应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层4位于高温恢复层3与n型氮化物DBR反射镜5之间，且应力调控型纳米掩膜复合缺陷阻断层4结构包括直接覆盖在高温恢复层3表面的原位氮化硅纳米多孔掩膜层401以及生长在原位氮化硅纳米多孔掩膜层401之上的氮化铝镓氮化镓应力补偿超晶格层402，所述极化增强型隧穿结10上表面设有p面介质DBR反射镜11及p面环形电极12，所述原位氮化硅纳米多孔掩膜层401通过非连续沉积在高温恢复层3表面形成随机分布的纳米孔洞，所述氮化铝镓氮化镓应力补偿超晶格层402通过纳米孔洞进行侧向外延过生长并合并成膜，以阻断来自衬底1的穿透性位错。

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