安盈半导体技术(常州)有限公司薛冰获国家专利权
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龙图腾网获悉安盈半导体技术(常州)有限公司申请的专利一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121410308B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512015832.1，技术领域涉及：G01R1/067；该发明授权一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法是由薛冰设计研发完成，并于2025-12-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法，属于半导体高频测试技术领域。现有高频探针在压接测试时，其导电针体因接触压力产生机械变形，导致特性阻抗发生偏移，且阵列内压力不均会引发阻抗离散。本发明通过在导电针体外侧包覆一种复合材料层来解决问题，该层由弹性绝缘基体和分散于其中的金属颗粒构成，且金属颗粒具有双峰粒径分布，总体积分数为30%~40%。当探针受压时，该复合材料层发生可逆微观重构，其有效介电常数随压力增大而升高，所产生的阻抗变化可抵消导电针体形变引起的阻抗下降，从而实现探针特性阻抗在压力变化下的自适应稳定。本发明能显著降低探针阵列的阻抗离散，提高高频测试的一致性与精度，且工艺兼容性好。
本发明授权一种阻抗自适应高频探针、探针卡及测试方法在权利要求书中公布了：1.一种阻抗自适应高频探针，包括导电针体以及同轴包覆在所述导电针体外侧的复合材料层，所述复合材料层包括弹性绝缘基体以及分散于所述弹性绝缘基体中的金属颗粒；其特征在于： 所述金属颗粒具有双峰粒径分布，包括第一粒径为8–15μm的大颗粒以及第二粒径为100–300nm的小颗粒，所述小颗粒填充于所述大颗粒之间的间隙； 所述金属颗粒在所述弹性绝缘基体中的总体积分数为30%~40%； 当所述探针受到轴向压紧力作用时，所述弹性绝缘基体发生压缩形变，促使所述金属颗粒的空间分布状态发生可逆重构，表现为颗粒间平均间距减小并形成局部导电团簇，导致所述复合材料层的有效介电常数随所述压紧力的增大而呈单调升高； 所述有效介电常数的升高用于产生一个与所述导电针体因机械变形所导致的特性阻抗下降方向相反的阻抗变化量，二者在预设的压力工作范围内相互抵消，使得所述探针的整体特性阻抗保波动范围控制在±1.0%内。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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