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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所申请的专利一种中红外拓扑偏振奇点激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121416967B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512006623.0，技术领域涉及：H01S3/10；该发明授权一种中红外拓扑偏振奇点激光器及其制备方法是由桑云刚;韩春蕊;陈卓;勾钺;邓栩珊;何嘉佳;薛林虎;亓岩设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种中红外拓扑偏振奇点激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种中红外拓扑偏振奇点激光器及其制备方法，涉及激光器技术领域。其中方法包括：采用双面递进剥离、单面减薄法，制作黑磷薄膜样品；将黑磷薄膜样品转移于覆盖有介质层的金属衬底层上；确定目标连续域束缚对应的中红外波长；基于中红外波长，设计周期性圆孔阵列的排布周期和孔径；基于排布周期和孔径，对金属衬底层上的黑磷薄膜样品进行刻蚀，得到金属衬底层上具有二维周期纳米孔阵列结构的黑磷增益层，从而制备出中红外拓扑偏振奇点激光器，其中，具有二维周期纳米孔阵列结构的黑磷增益层用于在远场形成拓扑偏振奇点，以使激光器输出带有偏振涡旋的中红外激光。本申请能够克服现有激光器结构复杂、集成度低、偏振调控能力弱等缺陷。

本发明授权一种中红外拓扑偏振奇点激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种中红外拓扑偏振奇点激光器的制备方法，其特征在于，包括： 采用双面递进剥离、单面减薄法，制作黑磷薄膜样品； 将所述黑磷薄膜样品转移于覆盖有介质层的金属衬底层上； 获取目标连续域束缚态，并确定所述目标连续域束缚对应的中红外波长； 基于所述中红外波长，设计周期性圆孔阵列的排布周期和孔径； 基于所述排布周期和所述孔径，对所述金属衬底层上的黑磷薄膜样品进行刻蚀，得到所述金属衬底层上具有二维周期纳米孔阵列结构的黑磷增益层，从而制备出中红外拓扑偏振奇点激光器，其中，所述具有二维周期纳米孔阵列结构的黑磷增益层用于在远场形成拓扑偏振奇点，以使所述激光器输出带有偏振涡旋的中红外激光，中红外拓扑偏振奇点激光器的顶层为黑磷增益层，中间层为绝缘介质层，底层为金属衬底层，激光呈环状垂直出射； 其中，所述采用双面递进剥离、单面减薄法，制作黑磷薄膜样品，包括： 在剥离初期使用高粘性胶带去除块状黑磷表面不均匀且断裂的层，得到平整后的黑磷层； 在剥离后期使用低粘性胶带对所述平整后的黑磷层进行逐步减薄，得到黑磷薄膜样品； 所述在剥离初期使用高粘性胶带去除块状黑磷表面不均匀且断裂的层，得到平整后的黑磷层，包括： 在剥离初期将所述块状黑磷的上下两个表面分别粘贴所述高粘性胶带； 通过反复撕所述高粘性胶带，去除所述块状黑磷上下两个表面不均匀且断裂的层，得到平整后的黑磷层； 所述在剥离后期使用低粘性胶带对所述平整后的黑磷层进行逐步减薄，得到黑磷薄膜样品，包括： 在剥离后期使用所述低粘性胶带对所述平整后的黑磷层的第一表面逐步进行减薄，得到减薄后的黑磷层； 将所述第一表面减薄后的黑磷层转移至热释胶带上，并使用所述低粘性胶带对热释胶带上所述减薄后的黑磷层的第二表面进行逐步减薄，得到所述黑磷薄膜样品； 所述将所述黑磷薄膜样品转移于覆盖有介质层的金属衬底层上，包括： 将热释胶带上的黑磷薄膜样品转移至所述覆盖有介质层的金属衬底层上，并对所述覆盖有介质层的金属衬底层进行加热，以去除所述热释胶带。

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