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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419353B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512003159.X，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权一种半导体结构及其制备方法是由康绍磊;章曦设计研发完成，并于2025-12-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供含衬底、浮置扩散区及源极跟随器的基底，源极跟随器的栅极结构位于衬底上表面，浮置扩散区在第一方向上位于栅极结构两侧；形成覆盖衬底与栅极结构的层间介质层；在层间介质层中形成位于栅极结构两侧的凹槽，凹槽的底部与栅极结构的顶部在第二方向间隔设置；形成覆盖凹槽的侧壁的掩膜层；基于掩膜层刻蚀形成底部分别显露浮置扩散区、栅极结构的第一接触孔、第二接触孔及连通两者的连接孔；形成覆盖第一、第二接触孔及连接孔的侧壁的低介电常数层；形成填充第一、第二接触孔及连接孔并覆盖低介电常数层的连接结构。本申请的半导体结构及其制备方法减少了器件的接触电阻的同时降低了寄生电容。

本发明授权一种半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供基底，所述基底包括衬底、浮置扩散区以及源极跟随器，所述源极跟随器包括位于所述衬底的上表面的栅极结构，所述浮置扩散区位于所述衬底的上表层且在第一方向上分别位于所述栅极结构的两侧； 形成覆盖所述衬底与所述栅极结构的层间介质层； 于所述层间介质层中形成在第一方向上分别位于所述栅极结构两侧的凹槽，且所述凹槽的底部与所述栅极结构的顶部之间在第二方向上间隔设置，其中，所述第二方向为所述基底的厚度方向，所述第二方向与所述第一方向相交； 形成覆盖所述凹槽的侧壁的掩膜层； 基于所述掩膜层，于所述层间介质层中刻蚀形成第一接触孔、第二接触孔及连接孔，所述第一接触孔的底部显露出所述浮置扩散区，所述第二接触孔的底部显露出所述栅极结构，所述连接孔位于所述第一接触孔及所述第二接触孔上方且连通所述第一接触孔及所述第二接触孔； 形成覆盖所述第一接触孔的侧壁、所述第二接触孔的侧壁及所述连接孔的侧壁的低介电常数层； 形成填充所述第一接触孔、所述第二接触孔及所述连接孔并覆盖所述低介电常数层的连接结构。

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