买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉江西兆驰半导体有限公司;江西耀驰科技有限公司申请的专利一种蓝绿LED外延片及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121419405B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511984710.7，技术领域涉及：H10H20/813；该发明授权一种蓝绿LED外延片及其制备方法是由舒俊;徐洲;高虹;郑文杰;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2025-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝绿LED外延片及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种蓝绿LED外延片及其制备方法，蓝绿LED外延片的多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的阱前渐变InGaN层、第一蓝光InGaN层、第一AlGaInN界面保护层、绿光InGaN层、第二AlGaInN界面保护层、第二蓝光InGaN层、阱后渐变InGaN层、量子垒层；阱前渐变InGaN层包括多层依次层叠的第一InGaN层，多层第一InGaN层的In组分含量沿外延方向依次递增；阱后渐变InGaN层包括多层依次层叠的第二InGaN层，多层第二InGaN层的In组分含量沿外延方向依次递减。其中，在沉积第一AlGaInN界面保护层之前，以及沉积第二AlGaInN界面保护层之前均需要进行N2气氛热处理。本发明能够有效降低LED背光光源的制备成本，有源区具有良好的复合效率，且LED芯片光均匀性良好。

本发明授权一种蓝绿LED外延片及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝绿LED外延片，包括沿外延方向依次设置的衬底、缓冲层、N型半导体层、低温应力释放层、多量子阱发光层、电子阻挡层和P型半导体层，其特征在于： 所述多量子阱发光层包括沿外延方向依次周期性交替生长的阱前渐变InGaN层、第一蓝光InGaN层、第一AlGaInN界面保护层、绿光InGaN层、第二AlGaInN界面保护层、第二蓝光InGaN层、阱后渐变InGaN层、量子垒层； 所述阱前渐变InGaN层包括多层依次层叠的第一InGaN层，多层所述第一InGaN层的In组分含量沿外延方向依次递增； 所述阱后渐变InGaN层包括多层依次层叠的第二InGaN层，多层所述第二InGaN层的In组分含量沿外延方向依次递减； 其中，在沉积所述第一AlGaInN界面保护层之前，以及沉积所述第二AlGaInN界面保护层之前均需要进行N2气氛热处理。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人江西兆驰半导体有限公司;江西耀驰科技有限公司，其通讯地址为：330000 江西省南昌市南昌高新技术产业开发区天祥北大道1717号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。