苏州矩阵光电有限公司朱忻获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利一种电流传感框架结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121431931B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512051799.8，技术领域涉及：G01R19/00；该发明授权一种电流传感框架结构及其制备方法是由朱忻设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种电流传感框架结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种电流传感框架结构及其制备方法，包括衬底和设置在衬底上的电流传感组件；电流传感组件包括沿远离衬底的方向上依次层叠设置的第一聚磁层和电流排结构，在第一聚磁层的两侧均设有磁敏芯片，磁敏芯片与第一聚磁层的侧边之间不存在间隔，位于第一聚磁层两侧的磁敏芯片形成了差分结构，磁敏芯片设置在衬底上；电流排结构包括层叠设置的至少两层电流层，至少两层电流层在水平方向上的宽度小于或等于第一聚磁层在水平方向上的宽度，电流层为片状结构，呈片状结构的电流层的延伸方向与水平方向互相垂直，利用本申请提供的技术方案能够在增加测量量程的同时，提高测量灵敏度，进而可得到兼顾大量程和高灵敏的电流传感器。
本发明授权一种电流传感框架结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种电流传感框架结构，其特征在于，包括衬底1和设置在所述衬底1上的电流传感组件； 所述电流传感组件包括沿远离所述衬底1的方向上依次层叠设置的第一聚磁层21和电流排结构22，在所述第一聚磁层21的两侧均设有磁敏芯片3，所述磁敏芯片3与所述第一聚磁层21的侧边之间不存在间隔，位于所述第一聚磁层21两侧的磁敏芯片3形成了差分结构，所述磁敏芯片3设置在所述衬底1上； 所述电流排结构22包括层叠设置的至少两层电流层，所述至少两层电流层在水平方向上的宽度小于或等于所述第一聚磁层21在水平方向上的宽度，所述电流层为片状结构，呈片状结构的所述电流层的延伸方向与水平方向互相垂直。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人苏州矩阵光电有限公司，其通讯地址为：215600 江苏省苏州市张家港市凤凰镇凤凰大道14号(凤凰科创园D栋、E栋)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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