苏州矩阵光电有限公司朱忻获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州矩阵光电有限公司申请的专利双差分2D霍尔集成磁传感芯片及其封装结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121432286B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202512047585.3，技术领域涉及：G01R33/07；该发明授权双差分2D霍尔集成磁传感芯片及其封装结构是由朱忻设计研发完成，并于2025-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本双差分2D霍尔集成磁传感芯片及其封装结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种双差分2D霍尔集成磁传感芯片及其封装结构，采用多个正放在霍尔芯片外边直角区域的聚磁体在设计上可以有效提高探测敏感轴间的隔离度，同时在工艺上可以利用平面贴装工艺在角度上的精度优势，在平移位置容差较大的条件下保证探测敏感轴方向的精度，进而保证敏感轴间的隔离度；另外，采用多个聚磁体还可以增加对水平磁场的汇聚作用，增加器件的灵敏度；再者，对于每组差分霍尔对来说，由于是在同一制造晶圆上紧密相邻的两个相同的霍尔芯片，从而可以彻底消除环境干扰信号的影响，同时零点偏移仍能被互相抵消，从而实现器件的低零点偏移、低漂移及抗干扰。
本发明授权双差分2D霍尔集成磁传感芯片及其封装结构在权利要求书中公布了：1.一种双差分2D霍尔集成磁传感芯片，其特征在于，所述双差分2D霍尔集成磁传感芯片包括： 两组差分霍尔对以及位于两组所述差分霍尔对上的正方形聚磁体；其中，两组所述差分霍尔对位于同一平面内以测量该平面内两个互相垂直方向的磁场； 每组所述差分霍尔对包括在制造晶圆上紧密相邻的两个相同的十字形霍尔芯片；两个所述霍尔芯片均包括沿第一方向排布的两个第一电极和沿第二方向排布的两个第二电极，所述第一方向与所述第二方向互相垂直；其中一个所述霍尔芯片的第一电极用于施加电压，第二电极用于产生第一霍尔电势，另一个所述霍尔芯片的第二电极用于施加电压，第一电极用于产生第二霍尔电势，所述第一霍尔电势和所述第二霍尔电势通过并联方式实现信号引出； 每组所述差分霍尔对上的两个所述聚磁体相对无旋转设置在两个所述霍尔芯片十字区相对的外边直角上方，且每个所述霍尔芯片上的所述聚磁体相对该霍尔芯片旋转的工艺误差在±0.2°以内。
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