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龙图腾网获悉福州大学申请的专利一种低回踢噪声的锁存器结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121508497B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610036138.X，技术领域涉及：H03K3/356；该发明授权一种低回踢噪声的锁存器结构是由胡炜;杨彬辉;纪明志;涂皓文;吴知晓;梁斌设计研发完成，并于2026-01-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低回踢噪声的锁存器结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种低回踢噪声的锁存器结构，包括：一对输入管MN1、MN2，其源极接地；一对二极管连接的MOS管MN5、MN6，分别与输入管MN1、MN2串联；一对虚拟管MN3、MN4，其栅极等效寄生电容分别作为耦合电容，使输入管MN2、MN1的漏极处电压波动分别通过虚拟管MN3、MN4的栅极等效寄生电容传递到输入节点IP、IN，且虚拟管MN3、MN4的尺寸为输入管MN1、MN2尺寸的一半；一对交叉耦合的PMOS管MP1、MP2和一对交叉耦合的NMOS管MN9、MN10，构成正反馈锁存结构；多个开关管，用于控制电路在复位阶段与比较阶段之间的切换；其中，输入管MN1、MN2在二极管连接的MOS管MN5、MN6的作用下工作于线性区。本发明可以消除输入管源端共模噪声以及来自输入管漏端的差分回踢噪声。

本发明授权一种低回踢噪声的锁存器结构在权利要求书中公布了：1.一种低回踢噪声的锁存器结构，其特征在于，包括： 一对输入管MN1、MN2，其源极接地； 一对二极管连接的MOS管MN5、MN6，分别与输入管MN1、MN2串联；所述二极管连接的MOS管MN5、MN6中，MOS管MN5的栅极与漏极短接，MOS管MN5的源极与输入管MN1的漏极连接；MOS管MN6的栅极与漏极短接，MOS管MN6的源极与输入管MN2的漏极连接；所述MOS管MN5的漏极与MOS管MN6的漏极通过二极管MN11连接，用于在复位阶段将MOS管MN5、MN6的栅极复位至相同电位；所述二极管MN11为NMOS管，所述MOS管MN5的漏极连接二极管MN11的漏极，所述二极管MN11的源极连接MOS管MN6的漏极，所述二极管MN11的栅极连接与时钟控制信号CLK互补的时钟控制信号CLKN； 一对虚拟管MN3、MN4，其栅极等效寄生电容分别作为耦合电容，使输入管MN2、MN1的漏极处电压波动分别通过虚拟管MN3、MN4的栅极等效寄生电容传递到输入节点IP、IN，且虚拟管MN3、MN4的尺寸为输入管MN1、MN2尺寸的一半；虚拟管MN3的栅极连接输入管MN1的栅极并连接同相输入节点IP，以接收差分输入信号中的同相电压信号VIP；虚拟管MN4的栅极连接输入管MN2的栅极并连接反相输入节点IN，以接收差分输入信号中的反相电压信号VIN；虚拟管MN3的漏极与源极短接，并连接输入管MN2的漏极；虚拟管MN4的漏极与源极短接，并连接输入管MN1的漏极； 一对交叉耦合的PMOS管MP1、MP2和一对交叉耦合的NMOS管MN9、MN10，构成正反馈锁存结构； 多个开关管，用于控制电路在复位阶段与比较阶段之间的切换；所述多个开关管中，MN7、MN8、MN11为NMOS管，MP3、MP4、MP5、MP6为PMOS管； 其中，所述输入管MN1、MN2在二极管连接的MOS管MN5、MN6的作用下工作于线性区。

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