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龙图腾网获悉中国海洋大学申请的专利一种差分式串联水声芯片阵列结构及芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN121540271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-20发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202610055288.5，技术领域涉及：G01H11/08；该发明授权一种差分式串联水声芯片阵列结构及芯片是由杨华;马纪龙设计研发完成，并于2026-01-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种差分式串联水声芯片阵列结构及芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种差分式串联水声芯片阵列结构及芯片，属于微机电系统技术领域。该芯片阵列结构自上而下依次为上电极正、负端，压电层与嵌入且贯通压电层的上下电极正负端互联线，绝缘层与贯通绝缘层的下电极正、负端；以上所述结构沉积在SOI层之上，所述SOI层自上而下依次为器件硅层、埋氧层与背衬底；所述空腔设置在背衬底上，空腔由下而上穿过所述背衬底，每个空腔定义一个芯片单元。上下电极通过上下电极正负端互联线与相邻芯片单元电学导通，形成芯片级差分式串联结构。本发明通过合理的差分式正负电极串联阵列化排布，提高了阵列输出电压，进而提升了芯片灵敏度。

本发明授权一种差分式串联水声芯片阵列结构及芯片在权利要求书中公布了：1.一种差分式串联水声芯片阵列结构，其特征在于：包括自下而上依次布置的SOI层、绝缘层和敏感结构层，所述敏感结构层包括上电极正端、上电极负端、压电层、下电极正端、下电极负端、上下电极正端互联线以及上下电极负端互联线； 所述上电极正端和上电极负端设置于压电层的上侧，下电极正端和下电极负端设置于压电层的下侧，上电极负端设置于上电极正端的边缘外侧，下电极负端设置于下电极正端的边缘外侧，且上电极正端处于下电极正端的正上方，上电极负端处于下电极负端的正上方； 所述SOI层上设置有空腔，上电极正端、上电极负端、下电极正端和下电极负端均处于空腔的正上方，每个空腔定义一个芯片单元； 所述下电极正端通过上下电极正端互联线与相邻芯片单元的上电极正端连接，下电极负端通过上下电极负端互联线与相邻芯片单元的上电极负端连接，使得相邻芯片单元之间呈串联排布； 所述芯片单元设置多个且采用阵列式排布，多个芯片单元构成芯片阵列结构； 所述上电极正端和下电极正端均为圆片状，所述上电极负端和下电极负端均包括两个弧形段，该两个弧形段对称布置在上电极正端或下电极正端的边缘两侧； 所述上电极正端连接第一连线，下电极正端连接第二连线，第一连线和第二连线呈相向布置，第一连线和第二连线通过上下电极正端互联线连接；所述上电极负端的两个弧形段分别连接第三连线和第四连线，所述下电极负端的两个弧形段分别连接第五连线和第六连线，第三连线和第五连线之间，第四连线和第六连线之间均通过上下电极负端互联线连接；在压电层的对应位置处分别设置有与上下电极正端互联线和上下电极负端互联线相适配的通孔； 所述芯片阵列结构中其中一个芯片单元的上电极正端连接上电极正端输出线，上电极负端连接上电极负端输出线；其中一个芯片单元的下电极正端连接下电极正端输出线，下电极负端连接下电极负端输出线，在压电层上对应位置处设置有与上电极负端输出线、下电极负端输出线相适配的穿孔； 所述绝缘层上设置有与下电极正端、下电极负端、第二连线、第五连线和第六连线相适配的嵌入口，绝缘层与下电极正端、下电极负端、第二连线、第五连线和第六连线等厚。

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