IMEC 非营利协会A·维洛索获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利一种用于形成半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111799223B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010244639.X，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权一种用于形成半导体器件的方法是由A·维洛索;T·胡因保;R·阿贝坦斯设计研发完成，并于2020-03-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于形成半导体器件的方法在说明书摘要公布了：根据本发明概念的一个方面，提供一种用于形成包括垂直通道场效应晶体管FET器件的半导体器件的方法，该方法包括：在基材上形成从基材的下源极漏极半导体层垂直突出的多个半导体结构，将半导体结构设置在具有多个行和列的阵列中；至少在行的子集之间，蚀刻平行于所述行的金属线沟槽；在金属线沟槽中形成金属线以接触下源极漏极层；形成包围位于下源极漏极层上方的半导体结构通道部分的栅极结构；和在位于通道部分上方的半导体结构上源极漏极部分上形成上源极漏极金属接触部。
本发明授权一种用于形成半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成半导体器件的方法，所述半导体器件包括垂直通道场效应晶体管器件，所述方法包括： 在基材上形成从基材的下源极漏极层垂直突出的多个半导体结构，将半导体结构设置在具有多个行和多个列的阵列中； 形成至少部分包埋半导体结构并至少部分覆盖下源极漏极层的覆盖层； 在覆盖层中形成沟槽，所述沟槽延伸穿过至少一个行子集之间的覆盖层； 对在至少一个行子集之间的金属线沟槽进行蚀刻，其中，蚀刻金属线沟槽包括：经由覆盖层中的沟槽蚀刻下源极漏极层； 在金属线沟槽中形成金属线，其接触下源极漏极层； 形成至少部分包围位于下源极漏极层上方的半导体结构通道部分的栅极结构；和 在位于通道部分上方的半导体结构上源极漏极部分上形成上源极漏极金属接触部。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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