三星电子株式会社金俊亨获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112234064B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010337804.6，技术领域涉及：H10B41/00；该发明授权三维半导体存储器装置是由金俊亨;林根元;金万中设计研发完成，并于2020-04-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：基底，包括第一方向上的第一连接区和第二连接区以及位于第一连接区与第二连接区之间的单元阵列区；以及第一块结构，位于基底上。第一块结构在单元阵列区上具有第一宽度，第一块结构在第一连接区上具有第二宽度，并且第一块结构在第二连接区上具有第三宽度。第一宽度、第二宽度和第三宽度平行于与第一方向交叉的第二方向，并且第一宽度小于第二宽度且大于第三宽度。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括： 基底，包括第一方向上的第一连接区和第二连接区以及位于第一连接区与第二连接区之间的单元阵列区；以及 第一块结构，位于基底上， 其中，第一块结构在单元阵列区上具有第一宽度， 其中，第一块结构在第一连接区上具有第三宽度， 其中，第一块结构在第二连接区上具有第二宽度， 其中，第一宽度、第二宽度和第三宽度平行于与第一方向交叉的第二方向， 其中，第一宽度小于第二宽度且大于第三宽度，并且 其中，第一块结构包括第一接触插塞和第二接触插塞，第一接触插塞在第二连接区上位于第一块结构的具有第二宽度的端部处，第二接触插塞在第一连接区上位于第一块结构的具有第三宽度的端部处。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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