三星电子株式会社李叙元获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利磁存储器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112397639B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010811130.9，技术领域涉及：H10N50/10；该发明授权磁存储器件是由李叙元;文廷桓;朴正熏;金禹珍;洪亨善设计研发完成，并于2020-08-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本磁存储器件在说明书摘要公布了：磁存储器件包括：器件隔离层，在衬底上并限定有源区；源极区和漏极区，在衬底的有源区中彼此分开；沟道部分，在衬底的有源区中并在源极区和漏极区之间；自旋轨道矩SOT诱导层，在衬底的沟道部分上；在SOT诱导层上的磁隧道结MTJ结构，该MTJ结构包括在SOT诱导层上的自由层、在自由层上的隧道势垒层和在隧道势垒层上的被钉扎层；在MTJ结构上的字线；电连接到源极区的源极线；以及电连接到漏极区的位线。
本发明授权磁存储器件在权利要求书中公布了：1.一种磁存储器件，包括： 器件隔离层，在衬底上并限定有源区； 源极区和漏极区，在所述衬底的所述有源区中彼此分开； 沟道部分，在所述衬底的所述有源区中并在所述源极区和所述漏极区之间； 自旋轨道矩SOT诱导层，在所述衬底的所述沟道部分上； 在所述自旋轨道矩诱导层上的磁隧道结MTJ结构，所述磁隧道结结构包括： 在所述自旋轨道矩诱导层上的自由层， 在所述自由层上的隧道势垒层，以及 在所述隧道势垒层上的被钉扎层； 在所述磁隧道结结构上的字线； 电连接到所述源极区的源极线；以及 电连接到所述漏极区的位线。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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