东京毅力科创株式会社田中启一获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置、基片处理方法和存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112445087B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010877451.9，技术领域涉及：G03F7/40；该发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质是由田中启一设计研发完成，并于2020-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置、基片处理方法和存储介质在说明书摘要公布了：本发明提供基片处理装置、基片处理方法和存储介质。基片处理装置1包括：在处理容器内保持基片的保持部，其中上述基片在表面形成有由EUV光刻用抗蚀剂材料构成的图案；使上述保持部旋转的旋转驱动部；和具有多个光源的光源部，其对由上述保持部保持的上述基片的表面照射包含真空紫外光的光，其中上述保持部通过上述旋转驱动部以0.5rpm～3rpm的转速旋转。本发明能够在使用了适合于EUV光刻的抗蚀剂材料的基片中改善表面的粗糙度。
本发明授权基片处理装置、基片处理方法和存储介质在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于： 所述基片处理装置对由EUV光刻用抗蚀剂材料形成于基片的表面的图案进行处理， 所述基片处理装置包括： 在处理容器内保持基片的保持部； 使所述保持部旋转的旋转驱动部； 具有多个光源的光源部，其对由所述保持部保持的所述基片的表面照射包含真空紫外光的光；和 控制部， 所述光源部照射的光的强度以在与所述光源对应的第一照射位置最大，随着从所述第一照射位置离开而变小，在所述光源的照射范围的端部的第二照射位置最小的方式变化， 所述光源部照射的光形成连续光谱，该连续光谱在10nm～200nm的范围内，包含波长比160nm长的光和波长比160nm短的光， 所述控制部控制所述旋转驱动部，以使得位于所述基片的中心与所述基片的外缘之间的所述基片的特定点通过所述第一照射位置和所述第二照射位置这两个位置， 在所述光源部照射所述光的期间，所述旋转驱动部使所述基片的转速变化，以使得在所述特定点，所述连续光谱中侵入图案的成分变化。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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