三星电子株式会社金燦镐获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112447748B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010511335.5，技术领域涉及：H10B41/41；该发明授权三维半导体存储器装置是由金燦镐;朴珠用;边大锡设计研发完成，并于2020-06-08向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体存储器装置在说明书摘要公布了：可以提供一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片。第一芯片可以包括：第一基底，包括第一外围电路区域和第二外围电路区域；第一接触插塞和第二接触插塞；以及第一无源器件，位于第二接触插塞上并且电连接到第二接触插塞。第二芯片可以包括第二基底，第二基底包括分别与第一芯片的第二外围电路区域和第一外围电路区域竖直地叠置的单元阵列区域和接触区域。第二芯片还可以包括栅电极以及设置在第二基底的接触区域上和栅电极的端部上的单元接触插塞。第一无源器件可以竖直地位于栅电极与第二接触插塞之间并且可以包括第一接触线。
本发明授权三维半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括第一芯片和堆叠在第一芯片上的第二芯片， 其中，第一芯片包括： 第一基底，包括第一外围电路区域和第二外围电路区域； 第一接触插塞，位于第一基底的第一外围电路区域上； 第二接触插塞，位于第一基底的第二外围电路区域上；以及 第一无源器件，位于第二接触插塞上并且电连接到第二接触插塞， 其中，第二芯片包括： 第二基底，设置在第一芯片上，第二基底包括单元阵列区域和接触区域，所述单元阵列区域和所述接触区域分别与第一芯片的第二外围电路区域和第一外围电路区域竖直地叠置； 栅电极，堆叠在第二基底的单元阵列区域和接触区域上，并且设置在第一芯片与第二芯片的第二基底之间；以及 单元接触插塞，设置在第二基底的接触区域上和栅电极的端部上，并且连接到第一接触插塞， 其中，第一无源器件竖直地位于栅电极与第二接触插塞之间，并且包括第一接触线。
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