三星电子株式会社朴光浩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利半导体存储器装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112750831B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011029630.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体存储器装置是由朴光浩;金哉勳;孙龙勳;郑承宰设计研发完成，并于2020-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储器装置在说明书摘要公布了：提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置包括：第一‑第一导线，位于基底上；第二‑第一导线，位于第一‑第一导线上；第一接触件，连接到第一‑第一导线；以及第二接触件，连接到第二‑第一导线，其中，第一‑第一导线在第一方向上突出超过第二‑第一导线，第一‑第一导线包括具有第一厚度的第一区域、具有第二厚度的第二区域和具有第三厚度的第三区域，第二厚度比第一厚度大，第三厚度比第一厚度小且比第二厚度小，并且第一‑第一导线的第二区域在第一‑第一导线的第一区域与第一‑第一导线的第三区域之间。
本发明授权半导体存储器装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括： 第一-第一导线，位于基底上； 第二-第一导线，位于第一-第一导线上； 第一层间绝缘膜，位于第一-第一导线与第二-第一导线之间； 第一接触件，连接到第一-第一导线；以及 第二接触件，连接到第二-第一导线， 其中： 第一-第一导线在第一方向上突出超过第二-第一导线， 第一-第一导线包括具有第一厚度的第一区域、具有第二厚度的第二区域和具有第三厚度的第三区域，第二厚度比第一厚度大，第三厚度比第一厚度小且比第二厚度小， 第一-第一导线的第二区域位于第一-第一导线的第一区域与第一-第一导线的第三区域之间， 第二-第一导线包括第四区域和第五区域， 第二-第一导线的第四区域的厚度比第二-第一导线的第五区域的厚度大， 第一接触件的底表面比第一-第一导线的第一区域的顶表面低，并且 第二-第一导线的第四区域的侧面与第一层间绝缘膜的侧面共面。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道水原市；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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