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龙图腾网获悉深圳佰维存储科技股份有限公司申请的专利DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112802532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110193200.3，技术领域涉及：G11C29/18；该发明授权DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备是由孙成思;孙日欣;雷泰设计研发完成，并于2021-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备，通过对待测试的DRAM进行两轮测试，以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元，对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较，通过两轮测试的比较结果得到最终测试结果，能够模拟先激活行，对某列进行访问后，再对行进行预充电的ACT‑PRE操作，覆盖此前的测试盲区并检测出现有技术中较难被发现的芯片缺陷，提高了故障覆盖率，增强测试结果的可靠性，从而提高产品良性。

本发明授权DRAM测试方法、装置、可读存储介质及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种DRAM测试方法，其特征在于，包括步骤： 对待测试的DRAM进行两轮测试，分别得到第一比较结果和第二比较结果； 所述测试包括： 对所述待测试的DRAM写入预设测试数据直至所述待测试的DRAM的所有存储单元均写入数据； 以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元； 对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较； 第一轮测试的预设测试数据为第二轮测试的预设测试数据的反数； 根据所述第一比较结果和第二比较结果得到所述待测试的DRAM的测试结果； 其中，依次执行两次所述以预设测试单元为单位从所述待测试的DRAM的首位地址和末位地址开始往中间遍历直至遍历完所述待测试的DRAM的所有存储单元； 所述预设测试单元包括多个预设操作单元； 所述对于遍历到的目标测试单元，基于所述预设测试数据向所述目标测试单元进行数据读写操作，将读取的数据与对应写入的数据进行比较包括： 对于第一次遍历中遍历到的第一目标测试单元，读取所述第一目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较； 对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的奇数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数； 对于第二次遍历中遍历到的第二目标测试单元，读取所述第二目标测试单元中每一预设操作单元的数据，将读取到的数据与对应写入的数据进行比较； 对于每一预设操作单元，在进行所述比较之后，判断所述预设操作单元是否处于所述预设测试单元的偶数位置，若是，则向所述预设操作单元写入所述预设测试数据的反数。

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