东京毅力科创株式会社李水根获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理装置和基片处理方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112885739B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011299955.3，技术领域涉及：H10P72/00；该发明授权基片处理装置和基片处理方法是由李水根设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理装置和基片处理方法在说明书摘要公布了：本发明提供能够抑制颗粒对晶片的附着的基片处理装置和基片处理方法。基片处理装置包括：将基片保持为水平的保持部；使上述基片与上述保持部一起绕铅垂轴旋转的基片旋转部；对由上述保持部保持的上述基片的上表面供给流体的喷嘴；对上述喷嘴供给上述流体的供给部；和使上述喷嘴在上述基片的径向上移动的移动部。上述喷嘴包括：释放上述流体的第一喷嘴部；和在与上述第一喷嘴部不同的方向释放上述流体的第二喷嘴部。上述第一喷嘴部的出射线和上述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉。上述供给部包括：调节述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于上述第一喷嘴部的释放量的方式调节上述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器。
本发明授权基片处理装置和基片处理方法在权利要求书中公布了：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括： 将基片保持为水平的保持部； 使所述基片与所述保持部一起绕铅垂的旋转轴旋转的基片旋转部； 对由所述保持部保持的所述基片的上表面供给流体的喷嘴； 对所述喷嘴供给所述流体的供给部；和 使所述喷嘴在所述基片的径向上移动的移动部， 所述喷嘴包括：释放所述流体的第一喷嘴部；和在与所述第一喷嘴部不同的方向上释放所述流体的第二喷嘴部， 所述第一喷嘴部的出射线和所述第二喷嘴部的出射线在交叉点交叉， 所述供给部包括：控制所述第一喷嘴部的释放量的第一流量控制器；和以独立于所述第一喷嘴部的释放量的方式控制所述第二喷嘴部的释放量的第二流量控制器， 所述喷嘴还包括旋转部，所述旋转部以所述第一喷嘴部的出射线为中心使所述第二喷嘴部旋转，以通过使所述第二喷嘴部的出射线的水平成分以所述交叉点为中心旋转来调整所述第二喷嘴部的出射线的水平成分的方向。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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