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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112908844B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011238186.6，技术领域涉及：H10P50/28；该发明授权对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置是由新关智彦;胜沼隆幸;木原嘉英;户村幕树设计研发完成，并于2020-11-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置。一个例示的实施方式的方法包括通过供给前体气体来在基片上形成前体层的步骤。基片具有膜，提供开口。方法还包括用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻膜的步骤。在蚀刻膜的步骤中，开口的深度增加，并且利用来自等离子体的化学种或其他化学种，由前体层形成保护区域。执行分别包含形成前体层的步骤和蚀刻膜的步骤的多个循环。至少一个循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度和至少一个其他循环所包含的蚀刻膜的步骤的执行过程中的基片的温度，被设定为彼此不同的温度。根据本发明，能够提供保护膜的侧壁面并且在形成于膜的开口的深度方向上控制该开口的宽度的技术。

本发明授权对膜进行蚀刻的方法和等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种对膜进行蚀刻的方法，其中，具有所述膜的基片包括界定开口的侧壁面和底面，该方法的特征在于，包括： 通过对所述基片供给前体气体，来在所述基片上形成前体层的步骤；和 用来自从处理气体形成的等离子体的化学种来蚀刻所述膜的步骤，其中，通过该蚀刻使所述开口的深度增加，并且利用所述化学种或者来自所述等离子体的其他化学种，由所述前体层形成保护区域， 执行分别包含形成前体层的所述步骤和蚀刻所述膜的所述步骤的多个循环， 所述多个循环中至少一个循环所包含的蚀刻所述膜的所述步骤的执行过程中的所述基片的温度，和所述多个循环中至少一个其他循环所包含的蚀刻所述膜的所述步骤的执行过程中的所述基片的温度，被设定为彼此不同的温度， 所述多个循环分别还包含在形成前体层的所述步骤之前，或者在形成前体层的所述步骤之后且蚀刻所述膜的所述步骤之前，调节所述基片的温度的步骤， 通过调节所述基片的温度的所述步骤而调节了的所述基片的所述温度，在蚀刻所述膜的所述步骤中被维持。

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