东京毅力科创株式会社新关智彦获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利基片处理方法和基片处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113035707B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011472522.3，技术领域涉及：H10P50/24；该发明授权基片处理方法和基片处理装置是由新关智彦;户村幕树;木原嘉英设计研发完成，并于2020-12-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本基片处理方法和基片处理装置在说明书摘要公布了：本发明提供一种基片处理方法和基片处理装置。基片处理装置所执行的基片处理方法包括步骤a、步骤b和步骤c。步骤a是提供具有被蚀刻膜和形成在该被蚀刻膜之上的掩模的基片的步骤。步骤b是在掩模的开口上部形成保护膜的步骤。步骤c是一边用保护膜抑制开口上部的开口尺寸的变动一边蚀刻掩模，使没有被保护膜覆盖的开口下部的尺寸变动的步骤。根据本发明，能够抑制形成在基片上的图案的形状异常。
本发明授权基片处理方法和基片处理装置在权利要求书中公布了：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括： 步骤a，提供具有被蚀刻膜和形成在该被蚀刻膜之上的掩模的基片，其中，所述掩模具有由侧壁划分出的开口； 步骤b，形成覆盖所述掩模的所述侧壁的上部且不覆盖所述掩模的所述侧壁的下部的保护膜； 步骤c，一边用所述保护膜来抑制所述掩模的所述侧壁的上部的开口尺寸的变动，一边蚀刻所述掩模，使所述掩模的所述侧壁的下部的尺寸扩展，将所述掩模的所述开口的形状形成为随着从上部侧去往下部侧而在横向上逐渐扩展的形状；和 步骤d，隔着在所述步骤c中被蚀刻的所述掩模来蚀刻所述被蚀刻膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人东京毅力科创株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励