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龙图腾网获悉株式会社半导体能源研究所申请的专利使用单极晶体管构成的逻辑电路以及半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113196666B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980082466.1，技术领域涉及：H03K19/00；该发明授权使用单极晶体管构成的逻辑电路以及半导体装置是由井上广树;上妻宗广;青木健;深井修次;赤泽史佳;原田伸太郎;长尾祥设计研发完成，并于2019-12-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本使用单极晶体管构成的逻辑电路以及半导体装置在说明书摘要公布了：提供一种使用单极晶体管的半导体装置，其中稳态电流没有流过且可以利用高电源电位及低电源电位表示高电平或低电平。半导体装置包括第一至第四晶体管、第一及第二电容元件、第一及第二布线、第一及第二输入端子以及输出端子。第四晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第四晶体管的源极和漏极中的另一个与第二晶体管的源极和漏极中的一个、第二电容元件的一个端子以及第三晶体管的栅极电连接。第四晶体管的栅极与第一输入端子、第一电容元件的一个端子以及第一晶体管的栅极电连接，第二晶体管的栅极与第二输入端子电连接。第一晶体管的源极和漏极中的一个与第一布线电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的另一个端子、第二电容元件的另一个端子、第三晶体管的源极和漏极中的一个以及输出端子电连接。第二晶体管的源极和漏极中的另一个以及第三晶体管的源极和漏极中的另一个与第二布线电连接。

本发明授权使用单极晶体管构成的逻辑电路以及半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，包括： 第一至第七晶体管； 第一至第三电容元件； 第一及第二布线； 第一至第四输入端子；以及 输出端子， 其中，所述第六晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线电连接， 所述第六晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第七晶体管的源极和漏极中的一个电连接， 所述第七晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第三晶体管的源极和漏极中的一个、所述第四晶体管的源极和漏极中的一个、所述第三电容元件的一个端子以及所述第五晶体管的栅极电连接， 所述第三晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个和所述第四晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二布线电连接， 所述第六晶体管的栅极与所述第二输入端子、所述第二电容元件的一个端子以及所述第一晶体管的栅极电连接， 所述第七晶体管的栅极与所述第一输入端子、所述第一电容元件的一个端子以及所述第二晶体管的栅极电连接， 所述第三晶体管的栅极与所述第三输入端子电连接， 所述第四晶体管的栅极与所述第四输入端子电连接， 所述第一晶体管的源极和漏极中的一个与所述第一布线电连接， 所述第一晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接， 所述第二晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第一电容元件的另一个端子、所述第二电容元件的另一个端子、所述第三电容元件的另一个端子、所述第五晶体管的源极和漏极中的一个以及所述输出端子电连接， 所述第五晶体管的所述源极和所述漏极中的另一个与所述第二布线电连接， 并且，所述第一至第七晶体管都是n沟道型晶体管。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社半导体能源研究所，其通讯地址为：日本神奈川县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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