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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利用于制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113380712B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110587513.7，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权用于制造半导体器件的方法是由萧旭明;谢明哲;曹修豪;林纮平;陈哲夫;魏安祺;陈臆仁设计研发完成，并于2021-05-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：用于制造半导体器件的方法包括在衬底上方形成第一鳍。该方法包括在第一鳍上形成伪栅极堆叠件。该方法包括沿着伪栅极堆叠件的侧形成第一栅极间隔件。第一栅极间隔件包括第一介电材料。该方法包括沿着第一栅极间隔件的侧形成第二栅极间隔件。第二栅极间隔件包括半导体材料。该方法包括在与第二栅极间隔件相邻的第一鳍中形成源极漏极区域。该方法包括去除第二栅极间隔件的至少一部分以形成在第一栅极间隔件和源极漏极区域之间延伸的空隙。

本发明授权用于制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于制造半导体器件的方法，包括： 在衬底上方形成第一鳍； 在所述第一鳍上形成伪栅极堆叠件； 沿着所述伪栅极堆叠件的侧壁形成第一栅极间隔件，所述第一栅极间隔件包括第一介电材料； 沿着所述第一栅极间隔件的侧壁形成第二栅极间隔件，所述第二栅极间隔件包括半导体材料； 沿着所述第二栅极间隔件的侧壁形成第三栅极间隔件，所述第三栅极间隔件包括第二介电材料， 在与所述第三栅极间隔件相邻的所述第一鳍中形成源极漏极区域，其中，所述第二栅极间隔件沿着所述源极漏极区域的底表面以及侧壁延伸； 在源极漏极区域上方沉积层间电介质ILD，所述层间电介质包括第三介电材料；以及 去除所述第二栅极间隔件的至少一部分以形成在所述第一栅极间隔件与所述源极漏极区域的所述底表面和所述侧壁之间延伸的空隙，并且在所述去除期间，暴露所述层间电介质的顶面，并且去除所述第二栅极间隔件的至少一部分的步骤使所述第一栅极间隔件、所述第三栅极间隔件和所述层间电介质保持完整， 其中，所述第三栅极间隔件保持在相邻的所述源极漏极区域的合并部分的底面和侧壁延伸，所述空隙的一部分位于所述第三栅极间隔件与所述源极漏极区域的合并部分的底面之间，所述空隙的一部分位于所述第三栅极间隔件与所述第一栅极间隔件之间，所述空隙的又一部分位于所述第一栅极间隔件与所述层间电介质之间。

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