日月光半导体制造股份有限公司吕文隆获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体结构及其制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN113571491B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202110675245.4,技术领域涉及:H10W70/655;该发明授权半导体结构及其制造方法是由吕文隆设计研发完成,并于2021-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制造方法在说明书摘要公布了:本公开提供的半导体结构及其制造方法,去掉FOSubFan‑Out结合Substrate结构中的粘合层,并将重布线层设置于基板所定义的通孔中,以减小的FOSub整体厚度。
本发明授权半导体结构及其制造方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体结构,包括: 基板,具有相对的第一表面和第二表面,所述基板具有开孔; 第一重布线结构,设于所述基板的第一表面上以及所述开孔中,所述第一重布线结构接触所述开孔的侧壁; 第二重布线结构,设于所述第二表面上以及所述开孔中,所述第二重布线结构接触所述开孔的侧壁并电连接所述第一重布线结构,所述第二重布线结构包括第三线路层,所述第三线路层设于所述第二重布线结构位于所述孔中的上表面。
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