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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113808652B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110652279.1，技术领域涉及：G11C16/34；该发明授权在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案是由H-Y·陈;Y·董设计研发完成，并于2021-06-11向国家知识产权局提交的专利申请。

本在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案。存储器系统中的处理装置启动存储器装置上的编程操作，所述编程操作包括接种阶段。所述处理装置进一步使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器装置的数据块中的存储器单元串，且使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线。所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线。

本发明授权在存储器子系统中的编程操作期间的经修改的接种方案在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 存储器阵列；以及 控制逻辑，其与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下者的操作： 在所述存储器阵列上启动编程操作，所述编程操作包括接种阶段； 使接种电压在所述编程操作的所述接种阶段期间被施加到所述存储器阵列的数据块中的存储器单元串； 使正电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第一多个字线，其中所述第一多个字线中的每一者耦合到所述串中的第一多个存储器单元的对应存储器单元，所述第一多个字线包括与所述编程操作相关联的所选字线，其中所述所选字线耦合到所述第一多个存储器单元的第一存储器单元，其中使所述正电压被施加到所述数据块的所述第一多个字线包括： 使第一正电压被施加到所述所选字线，使第二正电压被施加到邻近于所述所选字线的一或多个第一字线，且使第三正电压被施加到邻近于所述一或多个第一字线的一或多个第二字线，其中所述第三正电压大于所述第一正电压且小于所述第二正电压，其中邻近于所述所选字线的所述一或多个第一字线耦合到所述存储器单元串中的所述第一存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者，且其中邻近于所述一或多个第一字线的所述一或多个第二字线耦合到与所述一或多个第一字线耦合的所述存储器单元的源极侧上的所述第一多个存储器单元中的一或多者；以及 使接地电压在所述接种阶段期间被施加到所述数据块的第二多个字线。

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