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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利一种半导体器件及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113851454B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010524746.8，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权一种半导体器件及其制作方法、电子设备是由郭炳容;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体器件及其制作方法、电子设备，涉及半导体技术领域，以增大存储接触部上部的截面积，降低存储接触部与相应着陆焊盘之间的接触电阻，提高半导体器件的性能。所述半导体器件包括基底、位线结构、存储接触部以及隔离部。基底具有有源区。位线结构形成在有源区上。隔离部用于隔离相邻两个存储接触部。每个有源区具有与相应存储接触部交叠的交叠区域。每个存储接触部与相应有源区具有的交叠区域之间的接触面积大于预设阈值。至少一个存储接触部各部分的径向截面积均相等。所述半导体器件的制作方法用于制作所述半导体器件。本发明提供的半导体器件应用在电子设备中。

本发明授权一种半导体器件及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供一基底，所述基底具有有源区； 在所述有源区上形成位线结构；所述位线结构包括位线、以及环绕在所述位线侧壁的位线侧墙； 在相邻两个所述位线结构之间形成存储接触部和隔离部，所述隔离部用于隔离相邻两个所述存储接触部，每个所述有源区具有与相应所述存储接触部交叠的交叠区域，每个所述存储接触部与相应所述有源区具有的交叠区域之间的接触面积大于预设阈值，至少一个所述存储接触部各部分的径向截面积均相等；所述存储接触部在所述基底表面上的正投影与所述位线侧墙在所述基底表面上的正投影互不交叠； 其中，所述在相邻两个所述位线结构之间形成存储接触部和隔离部包括： 采用可控的刻蚀方式在相邻两个所述位线结构之间形成所述存储接触部； 在相邻两个所述位线结构之间形成隔离部，每个所述隔离部与两个所述存储接触部相邻； 所述采用可控的刻蚀方式在相邻两个所述位线结构之间形成所述存储接触部包括： 在相邻两个所述位线结构之间的基底内开设沟槽，所述沟槽的槽底与相应所述有源区接触； 在所述沟槽内形成覆盖沟槽槽底的接触材料层； 采用金属辅助化学液刻蚀方式对所述接触材料层进行刻蚀，获得所述存储接触部。

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