中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司安佑松获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113903738B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010576047.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备是由安佑松;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备。本申请提供的半导体结构，包括半导体基底、位于半导体基底上的突起结构，突起结构包括互不接触的上部分和下部分，位于突起结构两侧的侧墙，侧墙的上部位于突起结构上部分的侧壁上，侧墙的下部、突起结构的上部分与突起结构的下部分之间具有空气隙，该空气隙大大降低了突起结构的电容。
本发明授权半导体结构、半导体结构的制造方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供半导体基底，所述半导体基底上包括突起结构，所述突起结构包括由下而上依次层叠设置的下部分、第一牺牲层和上部分； 在所述突起结构两侧形成第二牺牲层，所述第二牺牲层包括连接的竖直部分和水平部分，所述竖直部分位于所述突起结构的下部分侧壁上并与所述第一牺牲层相接触，所述竖直部分的上端与所述第一牺牲层的顶面相平齐，所述水平部分位于所述半导体基底之上； 在所述第二牺牲层之上形成第一侧墙； 刻蚀所述第一牺牲层和所述第二牺牲层，从而在所述第一侧墙、所述突起结构的上部分和所述突起结构的下部分之间形成空气隙； 所述在所述第二牺牲层之上形成第一侧墙，包括： 在所述突起结构和所述第二牺牲层上沉积第一氮化物层； 刻蚀所述第一氮化物层，形成位于所述突起结构的上部分侧壁上和所述第二牺牲层侧壁上的第一侧墙。
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