铠侠股份有限公司矶贝达典获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113921531B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110086742.0，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体装置及其制造方法是由矶贝达典;冈田俊祐;青山知宪;野口将希设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体装置及其制造方法。根据一个实施方式，半导体装置具备包含沿第1方向交替地积层的多个电极层与多个绝缘层的积层膜。进而，所述装置具备包含在所述积层膜内沿所述第1方向延伸的电荷储存层与第1半导体层的柱状部。进而，所述装置具备第2半导体层或第1绝缘膜，所述第2半导体层或第1绝缘膜设置在所述积层膜及所述柱状部上，包含与所述第1半导体层中所包含的杂质原子相同的杂质原子，且在所述第1方向上具有所述杂质原子的浓度斜率。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 积层膜，包含沿第1方向交替地积层的多个电极层与多个绝缘层； 柱状部，包含在所述积层膜内沿所述第1方向延伸的电荷储存层与第1半导体层；及 第1绝缘膜，设置在所述积层膜及所述柱状部上，包含与所述第1半导体层中所包含的杂质原子相同的杂质原子，且在所述第1方向上具有所述杂质原子的浓度斜率； 于剖视时，所述第1绝缘膜的一部分与所述柱状部的上表面的一部分相接。
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