苏州远创达科技有限公司卓英浩获国家专利权
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龙图腾网获悉苏州远创达科技有限公司申请的专利一种大功率射频器件的封装结构和封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113972201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010711078.X，技术领域涉及：H10D80/00；该发明授权一种大功率射频器件的封装结构和封装方法是由卓英浩;肖智敏;竹磊设计研发完成，并于2020-07-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种大功率射频器件的封装结构和封装方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种大功率射频器件的封装结构，包括多个并联的射频功率芯片和封装法兰，所述多个射频功率芯片倾斜设置在封装法兰的封装内腔内，减少射频功率芯片的输入引线数量，使得输入引线和输出引线在空间上不交叠。多颗芯片倾斜排列在封装法兰上，显著提高了封装空间利用率，达到更大功率输出目的。通过少量减少中间射频功率芯片的输入引线数量，可以使输出引线不会有减少，可以保障大功率应用过程的可靠性，而且避免了输入引线和输出引线在空间上的大面积交叠，降低互感有效避免射频功率器件发生震荡。
本发明授权一种大功率射频器件的封装结构和封装方法在权利要求书中公布了：1.一种大功率射频器件的封装结构，包括多个并联的射频功率芯片和封装法兰，其特征在于，所述多个射频功率芯片倾斜设置在封装法兰的封装内腔内，减少射频功率芯片的输入引线数量，使得输入引线和输出引线在空间上不交叠； 所述多个射频功率芯片与封装内腔形成一定的夹角，所述多个射频功率芯片以相同角度平行排布。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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