日月光半导体制造股份有限公司凃顺财获国家专利权
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龙图腾网获悉日月光半导体制造股份有限公司申请的专利半导体封装结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113990842B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111080116.7，技术领域涉及：H10W90/10；该发明授权半导体封装结构及其形成方法是由凃顺财设计研发完成，并于2021-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体封装结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体封装结构及其形成方法。该半导体封装结构包括第一管芯和与第一管芯相对设置的第二管芯，并且第一管芯与第二管芯之间通过讯号IO焊盘连接。第二管芯还包括用于外部连接的外部IO焊盘，并且讯号IO焊盘与外部IO焊盘之间设置有伪焊盘。
本发明授权半导体封装结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括： 第一管芯； 第二管芯，与所述第一管芯相对设置，并且所述第一管芯与所述第二管芯之间通过讯号IO焊盘连接； 其中，所述第二管芯还包括用于外部连接的外部IO焊盘，并且所述讯号IO焊盘与所述外部IO焊盘之间设置有伪焊盘，所述外部IO焊盘的尺寸大于所述讯号IO焊盘的尺寸， 其中，所述伪焊盘的至少一部分位于所述第一管芯在所述第二管芯上的投影区之外，所述伪焊盘的顶面低于所述外部IO焊盘的顶面，并且所述伪焊盘的顶面与所述讯号IO焊盘的顶面齐平，其中，所述伪焊盘的尺寸与所述讯号IO焊盘的尺寸相同，所述伪焊盘之间的节距与所述讯号IO焊盘之间的节距相同，并且所述伪焊盘之间的距离与所述伪焊盘与所述讯号IO焊盘之间的距离相同。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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