长江存储科技有限责任公司吴双双获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体结构及三维存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114023750B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111249261.3，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体结构及三维存储器是由吴双双;周文犀;张坤;张中设计研发完成，并于2021-10-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及三维存储器在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体结构及三维存储器，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高三维存储器的良率和可靠性，以及降低三维存储器的制作难度。半导体结构包括：衬底、存储堆叠结构、至少一个第一墙结构和至少一个第二墙结构。存储堆叠结构位于衬底的一侧，且具有沿第一方向设置的台阶区和核心阵列区；第一墙结构沿所述第一方向延伸；第二墙结构沿第二方向延伸，第二方向与第一方向相交；所有第一墙结构和所有第二墙结构均位于台阶区；至少一个第二墙结构的高度小于第一墙结构的高度。上述半导体结构应用于三维存储器中，以实现数据的读取和写入操作。
本发明授权半导体结构及三维存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于所述衬底的一侧的存储堆叠结构，所述存储堆叠结构具有沿第一方向设置的台阶区和核心阵列区； 位于所述台阶区的至少一个第一墙结构，所述第一墙结构沿所述第一方向延伸；以及， 位于所述台阶区的至少一个第二墙结构，所述第二墙结构沿第二方向延伸，所述第二方向与所述第一方向相交；至少一个所述第二墙结构的高度小于所述第一墙结构的高度；所述第一墙结构和所述第二墙结构均包括：依次交替层叠的绝缘材料和导电材料； 所述半导体结构还包括：至少一个第一支撑结构，所述第一支撑结构沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第一墙结构；和或，至少一个第二支撑结构，所述第二支撑结构沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述第二墙结构。
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