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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利执行双向沟道预充电的非易失性存储器件及其编程方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114067887B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110540240.0，技术领域涉及：G11C16/10；该发明授权执行双向沟道预充电的非易失性存储器件及其编程方法是由曹诚敏;朴商秀;张俊锡;姜沂勋;崔容赫设计研发完成，并于2021-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本执行双向沟道预充电的非易失性存储器件及其编程方法在说明书摘要公布了：提供了一种在编程期间执行双向沟道预充电的非易失性存储器件。非易失性存储器件的编程操作在对选定存储单元进行编程之前，对多个单元串的沟道同时执行在位线方向上的第一预充电和在源极线方向上的第二预充电，以初始化所述沟道。所述第一预充电操作通过第一串选择晶体管和第二串选择晶体管使用被施加到所述位线的第一预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电，而所述第二预充电操作通过第一接地选择晶体管和第二接地选择晶体管使用被施加到所述源极线的第二预充电电压对所述多个单元串的所述沟道进行预充电。

本发明授权执行双向沟道预充电的非易失性存储器件及其编程方法在权利要求书中公布了：1.一种非易失性存储器件的编程方法，所述非易失性存储器件包括连接在多条位线与源极线之间的多个单元串，所述多个单元串中的每个单元串包括串联布置在所述多条位线中的一条位线与所述源极线之间的第一串选择晶体管、第二串选择晶体管、多个存储单元、第二接地选择晶体管和第一接地选择晶体管，所述编程方法包括： 针对所述多个单元串初始化沟道；以及 对所述多个存储单元当中的选定存储单元执行编程操作， 其中，所述沟道的初始化包括： 通过所述第一串选择晶体管和所述第二串选择晶体管使用被施加到所述多条位线的第一预充电电压对所述多个单元串的所述沟道执行第一预充电； 通过所述第一接地选择晶体管和所述第二接地选择晶体管使用被施加到所述源极线的第二预充电电压对所述多个单元串的所述沟道执行第二预充电； 向连接到所述第一串选择晶体管的第一串选择线施加低于接地电压的第一负电压； 向连接到所述第二串选择晶体管的第二串选择线施加所述接地电压； 向连接到所述第二接地选择晶体管的第二接地选择线施加所述接地电压；以及 向连接到所述第一接地选择晶体管的第一接地选择线施加低于所述接地电压的第二负电压， 其中，所述第一预充电与所述第二预充电被同时执行。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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