爱思开海力士有限公司吴星来获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068485B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110307259.0，技术领域涉及：H10W70/60；该发明授权具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法是由吴星来设计研发完成，并于2021-03-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括：下晶片，其包括第一基板、限定在第一基板上的第一介电层以及限定在第一介电层中的第一布线线路；上晶片，其包括第二基板、限定在第二基板的上表面中的隔离层、接合到第一介电层的上表面的第二介电层、限定在第二基板的上表面上的第三介电层以及限定在第三介电层上的第二布线线路，其中，第二介电层覆盖第二基板的下表面并且包括限定在第二基板的下表面中的位于隔离层下方并且与隔离层接触的至少一部分；以及导通孔，其在第二布线线路下方穿过第三介电层、隔离层、隔离层下方的第二介电层以及第一介电层，并且联接第二布线线路和第一布线线路。
本发明授权具有晶片到晶片接合结构的半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，该半导体装置包括： 下晶片，所述下晶片包括第一基板、限定在所述第一基板上的第一介电层以及限定在所述第一介电层中的第一布线线路； 上晶片，所述上晶片包括第二基板、限定在所述第二基板的上表面中的隔离层、通孔、接合到所述第一介电层的上表面的第二介电层、限定在所述第二基板的所述上表面上的第三介电层以及限定在所述第三介电层上的第二布线线路，其中，所述通孔从所述第二基板的下表面垂直延伸以暴露限定在所述第二基板中的所述隔离层的下表面，所述第二介电层覆盖所述第二基板的下表面并且包括限定在所述通孔中并且与所述隔离层接触的至少一部分；以及 导通孔，所述导通孔在所述第二布线线路下方穿过所述第三介电层、所述隔离层、所述隔离层下方的所述第二介电层以及所述第一介电层，并且联接所述第二布线线路和所述第一布线线路。
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