中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司全宗植获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体电容器结构及制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010761595.8，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体电容器结构及制造方法是由全宗植;吴容哲;杨涛;李俊峰;王文武设计研发完成，并于2020-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体电容器结构及制造方法在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体电容器结构及制造方法，半导体电容器结构，包括：底层，所述底层包括间隔分布的多个焊垫；下电极，所述下电极包括底部和底部两边的侧壁，所述底部位于所述焊垫的顶面上；介质层，沿着所述下电极的内侧壁形成；上电极，填充于所述介质层容纳的空间中；支撑层，至少一对相邻所述下电极的侧壁之间设置有三层或三层以上支撑层。本申请实施例提供的半导体电容器结构，在相邻两电极之间沿着垂直于底层的方向上具有多个支撑层，解决了由于倾斜裕量不足导致的电容器高度上限问题，获取了更多的刻蚀裕量，可以确保获取存储电容所需要的电容器高度。
本发明授权半导体电容器结构及制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体电容器结构的制造方法，其特征在于，包括： 提供一底层，所述底层包括间隔分布的多个焊垫； 在所述底层上依次交叠沉积多个牺牲层和多个支撑层形成堆叠层，所述牺牲层和支撑层至少各包括三层； 制造多个纵向贯穿所述堆叠层的第一沟槽；其中，所述第一沟槽暴露出所述焊垫； 在所述第一沟槽的底壁和内侧表面上形成电容器的下电极； 将相邻两所述下电极之间的牺牲层全部去除，得到半导体电容器结构； 所述制造多个纵向贯穿所述堆叠层的第一沟槽之前，该方法进一步包括： 通过光刻和刻蚀所述堆叠层形成延伸至所述底层的第二沟槽，形成支撑结构图案； 在所述第二沟槽内填充牺牲层物质，作为后续形成湿法腐蚀液的渗透路径； 所述制造多个纵向贯穿所述堆叠层的第一沟槽，包括： 在所述堆叠层顶部依次沉积第一掩模层和第二掩模层； 通过光刻和刻蚀工艺形成多个纵向贯穿所述堆叠层的第一沟槽。
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