美光科技公司S·R·纳马拉获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利挽救存储器装置中的不良块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121099B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110988679.X，技术领域涉及：G11C16/08；该发明授权挽救存储器装置中的不良块是由S·R·纳马拉;T·陆;K·科佩尔;李昇晃;C·H·萧设计研发完成，并于2021-08-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本挽救存储器装置中的不良块在说明书摘要公布了：本申请涉及挽救存储器装置中的不良块。在一些实例中公开用于使用在不同部分上存在缺陷的存储器块的无缺陷部分的方法、系统、装置、存储器装置和机器可读媒体。替代停用整个块，所述系统可仅停用所述块的一部分例如，所述块的第一叠组且挽救所述块的不同部分例如，所述块的第二叠组。
本发明授权挽救存储器装置中的不良块在权利要求书中公布了：1.一种存储器装置，其包括： 处理器； 存储器，其存储指令，所述指令在执行时使得所述处理器执行包括以下各项的操作： 识别三维NAND的块的第一叠组具有来自第一所识别缺陷类型列表的类型的缺陷； 识别所述块的第二叠组不具有来自所述第一所识别缺陷类型列表的缺陷； 测试所述第二叠组以确定其是否符合至少一个质量准则； 响应于确定所述第二叠组不具有来自所述第一所识别缺陷类型列表的缺陷且所述第二叠组符合至少一个质量准则，将所述第二叠组标记为可挽救的； 接收对所述第二叠组执行操作的请求； 基于操作类型识别所述块的所述第一叠组的偏置电压；以及 对所述第二叠组执行所述操作，所述执行所述操作包括在所述操作期间通过向所述第一叠组的字线施加偏置电压来停用所述第一叠组。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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