北京北方华创微电子装备有限公司谭晓宇获国家专利权
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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114121644B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111162649.X，技术领域涉及：H10P50/00；该发明授权一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件是由谭晓宇;林源为设计研发完成，并于2021-09-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件在说明书摘要公布了：本发明公开一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件，其中碳化硅沟槽结构的制造方法包括：在碳化硅基片的表面形成第一掩膜层；在第一掩膜层上形成具有预设图案的光刻胶层；以光刻胶层为掩膜，对第一掩膜层进行第一刻蚀形成开口，开口暴露出碳化硅基片的表面；以刻蚀后的第一掩膜层为掩膜，对开口暴露出的碳化硅基片表面进行第二刻蚀，形成沟槽；其中，第二刻蚀的工艺条件中使用的刻蚀气体包括：氯气和碳氟类气体的混合物或者氯化硼气体。本发明的氯化硼气体或者碳氟类气体具有提供沟槽侧壁的保护作用，能够形成侧壁垂直且底部圆滑的沟槽结构，且可以增加碳化硅沟槽的深宽比。
本发明授权一种碳化硅沟槽结构及其制造方法和半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅沟槽结构的制造方法，其特征在于，包括： 在碳化硅基片的表面形成第一掩膜层； 在所述第一掩膜层上形成具有预设图案的光刻胶层； 以光刻胶层为掩膜，对所述第一掩膜层进行第一刻蚀形成开口，所述开口暴露出所述碳化硅基片的表面； 以刻蚀后的所述第一掩膜层为掩膜，对所述开口暴露出的所述碳化硅基片表面进行第二刻蚀，形成沟槽；其中，所述第二刻蚀的工艺条件中使用的刻蚀气体包括：BCl3，Ar、SF6和O2，所述BCl3和SF6的体积流量的比值为0.5～1.5，或者，所述刻蚀气体包括：Cl2、C4F8，Ar、SF6和O2，所述O2和C4F8的体积流量的比值为0.3～1。
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