铠侠股份有限公司吉川波希获国家专利权
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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114141783B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110265459.4，技术领域涉及：H10B43/35；该发明授权半导体存储装置是由吉川波希设计研发完成，并于2021-03-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体存储装置具有：多个第1导电层，在第1方向上相互隔开配设；构造体，具备在所述第1方向上延伸且与所述多个第1导电层对向的第1半导体层、设置在所述第1半导体层与所述多个第1导电层之间的栅极绝缘层、及配置在所述第1半导体层的所述第1方向的一端部且连接于所述第1半导体层的第2半导体层；触点，与所述构造体的所述第2半导体层连接；绝缘部，将所述多个第1导电层中配置在所述构造体的所述第1方向的一端部侧的一部分所述第1导电层在与所述第1方向交叉的第2方向上分断，并且从所述第2方向的一侧与所述构造体及所述触点相接；以及第1绝缘层，从所述触点的所述第2方向的另一侧相接。所述绝缘部包含与所述第1绝缘层不同种类的绝缘材料。
本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具有： 多个第1导电层，在第1方向上相互隔开配设； 构造体，具备在所述第1方向上延伸且与所述多个第1导电层对向的第1半导体层、设置在所述第1半导体层与所述多个第1导电层之间的栅极绝缘层、及配置在所述第1半导体层的所述第1方向的一端部且连接于所述第1半导体层的第2半导体层； 触点，与所述构造体的所述第2半导体层连接； 绝缘部，将所述多个第1导电层中配置在所述构造体的所述第1方向的一端部侧的一部分所述第1导电层在与所述第1方向交叉的第2方向上分断，并且从所述第2方向的一侧与所述构造体及所述触点相接；以及 第1绝缘层，从所述触点的所述第2方向的另一侧相接； 所述绝缘部包含与所述第1绝缘层不同种类的绝缘材料。
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