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龙图腾网获悉上海积塔半导体有限公司申请的专利碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114156184B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111451571.3，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用是由季益静;吴贤勇;贺艺舒设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用，在碳化硅基底层的一侧形成第一掩膜层，进行第一次注入形成阱区，其中，碳化硅基底层为第一导电类型，阱区为第二导电类型，第一导电类型与第二导电类型的导电类型相反，第一掩膜层的厚度为0.1μm～10μm；向阱区进行第二次注入第一导电类型的材料，形成第一源区，其中，注入时与法线的角度为10°～70°。上述碳化硅半导体器件制备方法通过调整掩膜层厚度及注入角度的方法形成所需宽度短沟道，掩膜层的厚度以及注入角度的控制均可以通过设备的工艺参数精确控制，即所需沟道长度可以通过调节工艺参数实现可控，可以提高制备所需沟道碳化硅半导体器件的可控性以及稳定性。

本发明授权碳化硅半导体器件制备方法、碳化硅半导体器件及其应用在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S10：在碳化硅基底层的一侧形成第一掩膜层，进行第一次注入形成阱区，其中，所述阱区的表面与所述碳化硅基底层的注入表面齐平，所述碳化硅基底层为第一导电类型，所述阱区为第二导电类型，所述第一导电类型与所述第二导电类型的导电类型相反，所述第一掩膜层的厚度为0.1μm~10μm； S20：在所述阱区上形成第二掩膜层，通过所述第二掩膜层及所述第一掩膜层在所述第一掩膜层的两侧分别形成第一源区，所述第一源区是使用第一导电类型的材料向所述阱区进行第二次注入形成的，注入方向与法线的角度为10°~70°，所述第一源区与所述第一掩膜层下方的所述碳化硅基底层之间形成沟道，所述第一掩膜层的厚度为D，注入时与法线的角度为α，所述沟道的宽度为L=D×tanα，其中，在形成一侧的第一源区时，所述第二掩膜层在一侧紧靠所述第一掩膜层的区域留空以空出预设一侧的第一源区与所述沟道的位置，在形成另一侧的第一源区时所述第二掩膜层在另一侧紧靠所述第一掩膜层的区域留空以空出预设另一侧的第一源区与所述沟道的位置； S30：使用第二导电类型的材料向所述阱区除所述第一源区与所述沟道之外的区域进行第三次注入形成第二源区，所述阱区包饶所述第一源区与所述第二源区，制备基础器件结构； S40：激活所述基础器件结构。

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