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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171081B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111362432.3，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法是由黄芊芊;王凯枫;符芷源;黄如设计研发完成，并于2021-11-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法，属于半导体存储器技术领域。本发明存储器结构包括一个用于存储信息的铁电存储单元和一个连接存储单元的隧穿场效应晶体管，隧穿场效应晶体管用于对所述的铁电存储单元进行控制，进行写操作和读操作。多个所述存储器结构组成半导体存储器阵列，其控制方法包括写0、写1、读取和重写步骤。本发明利用隧穿场效应晶体管单向导通特性和极低漏电流特性，可以降低存储器阵列的操作电压和功耗、提升存储器集成密度，适用于半导体存储器芯片的制造，且其控制方法和电路也较为简单。

本发明授权一种嵌入式半导体随机存取存储器结构及其控制方法在权利要求书中公布了：1.一种嵌入式半导体随机存取存储器结构的控制方法，其特征在于，嵌入式半导体随机存取存储器结构包括一个铪基铁电电容作为存储单元和一个用于对存储单元进行操作的隧穿场效应晶体管，所述铪基铁电电容由铪基铁电材料层、金属上极板和金属下极板构成，所述隧穿场效应晶体管包括一个源极、一个漏极、一个低掺杂沟道区和一个栅极，所述隧穿场效应晶体管的栅极与多条字线中的任意一条相连接，其源极与多条板线中的任意一条相连接，其铁电电容的两端分别连至所述隧穿场效应晶体管的漏极和多条位线中的任意一条，通过控制隧穿场效应晶体管的栅极来控制加到铪基铁电电容的金属上极板上的电压大小，实现对存储单元的选择作用，具体包括写1、写0和读取三个步骤，其中： 所述写0的步骤为：对与所述存储器结构相连的位线施加第一个电压；对与所述存储器结构相连的字线施加第二个电压；对与所述存储器结构相连的板线施加第三个电压；由此使所述存储器结构中隧穿场效应晶体管的源结正偏，其导通电流为扩散电流，铁电极化方向翻转为由金属上极板指向位线，该存储器结构中的信息被写为0； 所述写1的步骤为：对与所述存储器结构相连的板线施加第四个电压；对与所述存储器结构相连的字线施加第五个电压；对与所述存储器结构相连的位线施加第六个电压；由此使所述存储器结构中隧穿场效应晶体管的源结反偏，其导通电流为带带隧穿电流，铁电极化方向翻转为由位线指向金属上极板，该存储器结构中的信息被写为1； 所述读取的步骤为：将与所述存储器结构相连的位线浮置；对与所述存储器结构相连的字线施加第七个电压；对与所述存储器结构相连的板线施加第八个电压；由此使存储器结构中隧穿场效应晶体管导通,铁电极化发生翻转,位线电压抬升，基于所述位线电压的变化量的大小,存储在所述存储器结构中的数据被读取。

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