上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司刘洋获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利选择性修整鳍结构尺寸的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171391B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111478615.1，技术领域涉及：H10D30/01；该发明授权选择性修整鳍结构尺寸的方法是由刘洋;杨渝书;耿金鹏设计研发完成，并于2021-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本选择性修整鳍结构尺寸的方法在说明书摘要公布了：本发明提供的选择性修整鳍结构尺寸的方法包括：提供衬底，衬底的顶部形成有包括沟道区的鳍结构，栅绝缘层以及虚设栅极覆盖沟道区的侧壁和顶面；然后，去除虚设栅极，露出沟道区上的栅绝缘层；接着，对栅绝缘层进行刻蚀选择比调整，以将栅绝缘层分为刻蚀速率不同的第一部分和第二部分，第一部分位于沟道区的顶面上，第二部分位于沟道区的侧壁上；再执行第一刻蚀工艺，去除第二部分以露出沟道区的侧壁，同时保留第一部分；之后执行第二刻蚀工艺，沿沟道区的侧壁刻蚀沟道区，以缩小沟道区的宽度。如此，可以选择性的减小沟道区的宽度而不损失沟道区的高度，有助于降低FinFET的短沟道效应，且可以降低对FinFET驱动电流和交流器件性能的影响。
本发明授权选择性修整鳍结构尺寸的方法在权利要求书中公布了：1.一种选择性修整鳍结构尺寸的方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底的顶部形成有鳍结构，所述鳍结构包括沟道区，所述沟道区上形成有栅绝缘层以及位于所述栅绝缘层上的虚设栅极，所述栅绝缘层和所述虚设栅极覆盖所述沟道区的侧壁和顶面； 去除所述虚设栅极，露出所述沟道区上的所述栅绝缘层； 对所述栅绝缘层进行刻蚀选择比调整，以将所述栅绝缘层分为刻蚀速率不同的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述沟道区的顶面上，所述第二部分位于所述沟道区的侧壁上； 执行第一刻蚀工艺，去除所述第二部分以露出所述沟道区的侧壁，同时保留所述第一部分；以及 执行第二刻蚀工艺，沿所述沟道区的侧壁削减所述沟道区，以缩小所述沟道区的宽度。
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