爱思开海力士有限公司朴海中获国家专利权
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龙图腾网获悉爱思开海力士有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188306B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110472865.8，技术领域涉及：H10W20/00；该发明授权半导体器件及其制造方法是由朴海中设计研发完成，并于2021-04-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体器件和一种制造半导体器件的方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，其包括有源区；多个导电结构，其形成在所述半导体衬底之上；隔离层，其填充所述导电结构之间的空间并具有暴露出所述导电结构之间的有源区的开口；焊盘，其形成在所述开口的底部并与所述有源区接触；插塞内衬，其保形地形成在所述开口的侧壁之上并暴露出焊盘；以及接触插塞，其形成在所述开口内部的焊盘之上。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其包括： 半导体衬底，其包括有源区； 多个导电结构，其形成在所述半导体衬底之上； 隔离层，其填充所述导电结构之间的空间并具有暴露出所述导电结构之间的所述有源区的开口； 焊盘，其形成在所述开口的底部中并与所述有源区接触； 插塞内衬，其保形地形成在所述开口的侧壁之上并暴露出焊盘；以及 接触插塞，其形成在所述开口内部的所述焊盘之上， 其中，所述插塞内衬包括多晶硅。
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