长江存储科技有限责任公司张坤获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188331B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111440500.3，技术领域涉及：H10B69/00；该发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器是由张坤;高庭庭;夏志良设计研发完成，并于2021-11-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器。所述方法包括：提供基底以及位于所述基底上的堆栈层，所述堆栈层包括顶部选择栅极；在所述堆栈层上形成膜层结构，所述膜层结构包括自对准图案；沿所述自对准图案形成顶部选择栅切槽，且所述顶部选择栅切槽贯穿所述顶部选择栅极；在所述顶部选择栅切槽中形成顶部选择栅隔线。本发明能够简化顶部选择栅隔线的制作难度，提高半导体器件的性能。
本发明授权半导体器件的制作方法、半导体器件及存储器在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供基底以及位于所述基底上的堆栈层，所述堆栈层包括顶部选择栅极； 在所述堆栈层上形成膜层结构，所述膜层结构包括通过对介质层刻蚀形成的自对准图案以及在所述堆栈层和所述自对准图案上形成的停止层；沿所述自对准图案形成顶部选择栅切槽，且所述顶部选择栅切槽贯穿所述顶部选择栅极； 在所述顶部选择栅切槽中形成顶部选择栅隔线。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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