长江存储科技有限责任公司赵祥辉获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利一种半导体存储器及其制作方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188333B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111340824.X，技术领域涉及：H10B41/10；该发明授权一种半导体存储器及其制作方法、电子设备是由赵祥辉;曾臻;阳叶军;张文杰设计研发完成，并于2020-05-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体存储器及其制作方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体存储器及其制作方法、电子设备，包括：衬底；位于衬底一侧表面且交替隔离排列的多个控制栅堆叠结构和多个阵列共源隔断层；位于阵列共源隔断层背离衬底一侧的阵列共源连接层；覆盖阵列共源连接层背离衬底一侧、且填充至相邻阵列共源连接层之间凹槽处的绝缘填充层，绝缘填充层包括对应阵列共源连接层的通孔；位于绝缘填充层背离衬底一侧、且通过通孔连接相邻两个阵列共源连接层的桥连线。
本发明授权一种半导体存储器及其制作方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储器，其特征在于，包括： 交替排列的多个控制栅堆叠结构和多个阵列共源极； 位于所述阵列共源极上的阵列共源连接层； 位于所述阵列共源连接层上和相邻所述阵列共源连接层之间的间隔处的绝缘层； 位于所述绝缘层中且对应于所述阵列共源连接层的通孔； 以及，位于所述绝缘层背离所述阵列共源连接层一侧、且通过所述通孔连接相邻两个所述阵列共源连接层的桥连结构；其中，所述控制栅堆叠结构包括彼此对置的第一表面和第二表面，相比于所述第二表面，所述第一表面更靠近所述桥连结构，所述桥连结构在所述第一表面所在平面上的正投影至少部分与所述控制栅堆叠结构重叠。
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