上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司蔡小虎获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利芯片封装结构和芯片封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114220826B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111525671.6，技术领域涉及：H10F39/18；该发明授权芯片封装结构和芯片封装方法是由蔡小虎;叶红波;温建新;史海军设计研发完成，并于2021-12-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构和芯片封装方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种芯片封装结构，包括晶圆、遮光层、底部保护层、绝缘层、布线层、透光层、焊盘和焊球。所述晶圆的顶面为感光面，所述遮光层覆盖所述晶圆的底面，所述底部保护层覆盖所述遮光层的底面，所述布线层、所述绝缘层、所述透光层、所述焊盘以及所述焊球均设置于所述晶圆的顶部，避免了对所述晶圆底面进行的复杂刻蚀工艺，简化了芯片的封装工艺，同时增强了封装结构整体的结合力、减少杂光干扰。本发明还提供了一种芯片封装方法。
本发明授权芯片封装结构和芯片封装方法在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：提供顶面为感光面的晶圆，在所述晶圆的底面沉积形成遮光层； S2：在所述晶圆顶面形成初始绝缘层，使所述晶圆的中部顶面露出作为感光区域，所述初始绝缘层具有凹槽结构； S3：在所述凹槽结构内形成布线层，在所述布线层顶面形成与所述布线层内的金属连线电接触的焊盘，再检测所述金属连线是否满足布线要求； S4：去除所述初始绝缘层靠近所述晶圆中部的部分顶面，形成台阶状的低部绝缘层，所述低部绝缘层和剩余的所述初始绝缘层共同构成绝缘层； S5：跨所述晶圆的中部顶面形成覆盖所述低部绝缘层的顶面的透光层； S6：在所述遮光层底面沉积形成底部保护层后，对所述焊盘进行植球。
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