联华电子股份有限公司王慧琳获国家专利权
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龙图腾网获悉联华电子股份有限公司申请的专利半导体装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114361201B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011088594.8，技术领域涉及：H10B61/00；该发明授权半导体装置是由王慧琳;许博凯;范儒钧;林奕佑;许清桦;陈宏岳设计研发完成，并于2020-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本发明公开一种半导体装置，其包括基底、第一介电层、第二介电层以及第三介电层。第一介电层设置在基底上，第一介电层环绕第一金属内连线。第二介电层设置在第一介电层上，环绕插塞以及第二金属内连线，第二金属内连线直接接触第一金属内连线。第三介电层设置在第二介电层上，环绕第一磁隧穿结结构以及第三金属内连线，第三金属内连线直接接触第一磁隧穿结结构以及第二金属内连线，第一磁隧穿结结构直接接触插塞。本发明的半导体装置可整合一般磁性随机存储装置的逻辑区域以及虚设磁性随机存储装置区域，有效缩小布局图案。
本发明授权半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 基底； 第一介电层，设置在该基底上，该第一介电层环绕第一金属内连线； 第二介电层，设置在该第一介电层上，该第二介电层环绕插塞以及第二金属内连线，该第二金属内连线直接接触该第一金属内连线；以及 第三介电层，设置在该第二介电层上，该第三介电层环绕第一磁隧穿结结构以及第三金属内连线，其中该第三金属内连线为连续的单一整体结构，该插塞和该第二金属内连线分别接触该第一磁隧穿结结构以及该第三金属内连线，且该第三金属内连线直接接触该第一磁隧穿结结构。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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