中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司张海洋获国家专利权
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龙图腾网获悉中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388443B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011118308.8，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权半导体结构及其形成方法是由张海洋;杨晨曦;苏博设计研发完成，并于2020-10-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请提供半导体结构及其形成方法，所述方法包括：提供衬底，衬底表面形成有分立的堆叠层，堆叠层表面包括第一掩膜，堆叠层包括依次交替分布的沟道层和牺牲层；在第一掩膜和堆叠层的侧壁形成第一介质层；去除第一掩膜，形成第一开口；在第一介质层表面、第一开口的侧壁和底面形成第二介质层，第二介质层具有第二开口，且第二开口位于堆叠层上方；沿第二开口刻蚀第二介质层、堆叠层至暴露衬底，使堆叠层形成分立的第一鳍片和第二鳍片；在第一鳍片和第二鳍片之间填充第三介质层，且第三介质层与第一鳍片、第二鳍片的顶面共面。本申请技术方案提供的半导体结构的形成方法，能够有效地制作出Forksheet器件的介电墙，且工艺过程简单、易实现。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底表面形成有分立的堆叠层，所述堆叠层表面包括第一掩膜，所述堆叠层包括依次交替分布的沟道层和牺牲层； 在所述第一掩膜和所述堆叠层的侧壁形成第一介质层； 去除所述第一掩膜，形成第一开口； 在所述第一介质层表面、所述第一开口的侧壁和底面形成第二介质层，所述第二介质层具有第二开口，且所述第二开口位于所述堆叠层上方； 沿所述第二开口刻蚀所述第二介质层、堆叠层至暴露所述衬底，使所述堆叠层形成分立的第一鳍片和第二鳍片； 在所述第一鳍片和所述第二鳍片之间填充第三介质层，且所述第三介质层与所述第一鳍片、所述第二鳍片的顶面共面。
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