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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利裂缝停止结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388449B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011140778.4，技术领域涉及：H10W20/43；该发明授权裂缝停止结构是由柳圣浩;高建峰;刘卫兵;白国斌设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本裂缝停止结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种裂缝停止结构，包括：第一裂缝停止线，包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组；其中，第一阻塞线组和第二阻塞线组均包括多个阻塞线；每个阻塞线在竖直方向上包括至少一个互连线；在同一水平面的所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线交错设置，以在第一阻塞线组的互连线与第二阻塞线组的互连线之间形成从第一裂缝停止线的一侧延伸到另一侧的弯曲通道。本申请的裂缝停止结构，包括两条裂缝停止线，从而对裂缝形成双重阻止；第一裂缝停止线包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组，第一阻塞线组的阻塞线与第二阻塞线组的阻塞线交错设置，能够有效阻止裂缝延伸前进，减少削片破裂等情况的发生。

本发明授权裂缝停止结构在权利要求书中公布了：1.一种裂缝停止结构，其特征在于，包括： 第一裂缝停止线，包括相对设置的第一阻塞线组和第二阻塞线组； 其中，所述第一阻塞线组和所述第二阻塞线组均包括多个阻塞线；每个所述阻塞线在竖直方向上包括至少一个互连线；在同一水平面的所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线交错设置，以在所述第一阻塞线组的互连线与所述第二阻塞线组的互连线之间形成从所述第一裂缝停止线的一侧延伸到另一侧的弯曲通道； 所述阻塞线包括由下而上依次层叠设置的第一金属插塞、第一互连线、第二金属插塞、第二互连线、第三金属插塞、第三互连线和第四金属插塞； 所述第三互连线为对称结构，包括一体成型的背板和两个侧板；所述两个侧板分别位于所述背板的两侧且所述侧板与所述背板互相垂直；所述背板和所述两个侧板围成一凹槽；所述第一阻塞线组各侧板分别伸入所述第二阻塞线的对应凹槽内，所述第二阻塞线组各侧板分别伸入所述第一阻塞线的对应凹槽内； 所述裂缝停止结构还包括： 第二裂缝停止线，包括至少一个互连线； 所述第一裂缝停止线的顶端和所述第二裂缝停止线的顶端均设置有顶层互连线； 所述第一裂缝停止线的底端和所述第二裂缝停止线的底端均设置于同一半导体基底层上； 所述第二裂缝停止线包括交叉层叠设置的若干金属插塞和若干互连线； 所述第一裂缝停止线的顶端设置的顶层互连线与所述第二裂缝停止线的顶端设置的顶层互连线为同一顶层互连线或分别独立设置的顶层互连线。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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