中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司柳圣浩获国家专利权
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龙图腾网获悉中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利半导体装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388504B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011142248.3，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体装置及其制备方法是由柳圣浩;李俊杰;周娜设计研发完成，并于2020-10-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置及其制备方法，包括：半导体衬底；电容接触插塞，形成在所述半导体衬底上；电容器，形成于所述电容接触插塞上，包括下电极、电容介质层以及上电极，所述下电极与所述电容接触插塞连接，其中，使用大马士革镶嵌工艺将所述下电极堆叠形成在所述电容介质层内，简化了电容器的制作工艺，提高了半导体器件的集成度。
本发明授权半导体装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，还包括： 半导体衬底； 电容接触插塞，形成在所述半导体衬底上； 电容器，形成于所述电容接触插塞上，包括下电极、电容介质层以及上电极，所述下电极与所述电容接触插塞连接，其中，所述电容介质层包括层叠设置的多层介质层；通过使用多次大马士革镶嵌工艺在每层介质层内形成多段Cu材质部分下电极，多个部分下电极层叠设置、首尾连接构成整个下电极。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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