上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司王兆龙获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利半导体结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114420629B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111580399.1，技术领域涉及：H10W10/00；该发明授权半导体结构及其制作方法是由王兆龙设计研发完成，并于2021-12-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体结构及其制作方法，所述方法包括：提供一衬底，在衬底上依次形成图形定义层、图形转移层与图形掩膜层；刻蚀图形掩膜层，形成暴露图形转移层的第一凹槽；刻蚀第一凹槽底部的图形转移层，形成暴露图形定义层的第二凹槽，第二凹槽的侧壁垂直于图形定义层的上表面；通过第一凹槽与第二凹槽对暴露出的图形定义层进行离子掺杂，掺杂有离子的图形定义层作为金属阻断层。与现有技术相比，形成开口尺寸比较小的第一凹槽就可以最终形成相同尺寸的所述金属阻断层，从而可以在同一工艺步骤中形成相邻的金属阻断层，由此简化了工艺步骤，节省了制作时间，减小了工艺缺陷的发生率，降低了成本。
本发明授权半导体结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供一衬底，在所述衬底上依次形成图形定义层、图形转移层与图形掩膜层； 刻蚀所述图形掩膜层，形成暴露所述图形转移层的第一凹槽； 刻蚀所述第一凹槽底部的所述图形转移层，形成暴露所述图形定义层的第二凹槽，所述第二凹槽的侧壁垂直于所述图形定义层的上表面； 通过所述第一凹槽与所述第二凹槽对暴露出的所述图形定义层进行离子注入，将注入有离子的图形定义层作为金属阻断层；以及 去除所述图形掩膜层、所述图形转移层以及未进行离子注入的所述图形定义层； 其中，形成所述第二凹槽的方法包括： 步骤1，形成保护层在所述第一凹槽的侧壁及底部； 步骤2，刻蚀所述保护层与所述第一凹槽底部的所述图形转移层； 重复步骤1与步骤2至形成暴露所述图形定义层的第二凹槽。
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