美光科技公司徐峻获国家专利权
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龙图腾网获悉美光科技公司申请的专利存储器单元感测获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114446353B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2026-03-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111282558.X，技术领域涉及：G11C16/04；该发明授权存储器单元感测是由徐峻设计研发完成，并于2021-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器单元感测在说明书摘要公布了：本申请涉及存储器单元感测。存储器可包含控制器，所述控制器配置成使所述存储器向各自连接到感测电路的相应节点的多个电容中的每一电容施加升压电压电平，通过选定用于感测操作的相应存储器单元选择性地放电所述节点中的每一个，当所述节点中的每一个连接到相应存储器单元时测量所述多个电容的电流需求，响应于测得的电流需求而确定去升压电压电平，向所述多个电容中的每一电容施加所述去升压电压电平，以及当向所述多个电容中的每一电容施加所述去升压电压电平时确定所述多个存储器单元中的每一存储器单元的相应数据状态。
本发明授权存储器单元感测在权利要求书中公布了：1.一种存储器，包括： 存储器单元阵列； 多个感测电路，所述多个感测电路中的每一感测电路包括多个电容中的相应电容，其中所述多个电容中的每一电容连接到多个节点中的相应节点，并且其中所述多个节点中的每一节点选择性地连接到所述存储器单元阵列中的存储器单元；以及 用于所述存储器单元阵列的存取的控制器，其中所述控制器配置成使所述存储器进行以下操作： 向所述多个电容中的每一电容施加升压电压电平； 通过选定用于感测操作的所述存储器单元阵列的多个存储器单元中的相应存储器单元选择性地放电所述多个节点中的每一节点，其中所述多个存储器单元中的每一存储器单元连接到所述多个节点中的相应节点； 当所述多个节点中的每一节点连接到所述多个存储器单元中的相应存储器单元时，测量所述多个电容的电流需求； 隔离所述多个节点中的每一节点与所述多个存储器单元中的相应存储器单元； 响应于测得的电流需求而确定去升压电压电平； 向所述多个电容中的每一电容施加所述去升压电压电平；以及 当向所述多个电容中的每一电容施加所述去升压电压电平时，确定所述多个存储器单元中的每一存储器单元的相应数据状态。
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